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- 電容降壓的定義理解
- 電容降壓的工作原理并不復(fù)雜。他的工作原理是利用電容在一定的交流信號(hào)頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流。
例如,在50Hz的工頻條件下,一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3 - 2018-11-28 關(guān)注：141
- 嵌入式底層開發(fā)知識(shí)詳解
- 不知不覺中，學(xué)習(xí)嵌入式已經(jīng)有差不多兩年的時(shí)間了，從大二的時(shí)候開始學(xué)習(xí)DSP，現(xiàn)到開始接觸ARM9，有很大的感觸，所以分享出來，和大家一起進(jìn)步。首先說明，這些只是個(gè)人學(xué)習(xí)
- 2018-11-28 關(guān)注：107
- 解析電容使用存在的誤區(qū)
- 1.電容容量越大越好?
很多人在電容的替換中往往愛用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補(bǔ)償?shù)哪芰υ綇?qiáng)。且不說電容容量的增大帶來的體積變大，增加成本 - 2018-11-28 關(guān)注：111
- 電容器在電路中的應(yīng)用解析
- 電容器在電子電路中幾乎是不可缺少的儲(chǔ)能元件，它具有隔斷直流、連通交流、阻止低頻的特性。廣泛應(yīng)用在耦合、隔直、旁路、濾波、調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換和自動(dòng)控制等電路中。熟悉電
- 2018-11-28 關(guān)注：135
- 分析三極管的飽和工作原理
- 三極管的飽和
1.在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上 - 2018-11-28 關(guān)注：162
- 闡述雙極型晶體管和場效應(yīng)管性質(zhì)
- 1.場效應(yīng)管主要有結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET)。絕緣柵型場效應(yīng)管的襯底(B)與源析(S)連在一起，它的三個(gè)極分別為柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。晶體管分NPN和
- 2018-11-28 關(guān)注：124
- 應(yīng)對(duì)運(yùn)放電路中的電源噪聲有何方法？
- 在這里，我們將噪聲定義為任何在運(yùn)放輸出端的無用信號(hào)。噪聲可以是隨機(jī)信號(hào)或重復(fù)信號(hào)，內(nèi)部或外部產(chǎn)生，電壓或電流形式，窄帶或?qū)拵В哳l或低頻。噪聲通常包括器件的固有
- 2018-11-28 關(guān)注：113
- 分析電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作過程及注意事項(xiàng)
- 電子電路設(shè)計(jì)涉及的東西很多。首先是你需要根據(jù)具體的需要和應(yīng)用去設(shè)計(jì)電路圖。這是整個(gè)設(shè)計(jì)中最重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。這個(gè)環(huán)節(jié)你需要考慮的問題很多。就拿數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)來說。
- 2018-11-28 關(guān)注：146
- 有什么發(fā)放判斷發(fā)光二極管正負(fù)極？
- 用萬用表R×1K擋，紅、黑兩表筆交替接自閃發(fā)光二極管的兩根引線，當(dāng)發(fā)現(xiàn)其中一次測量，表針先向右擺動(dòng)一定距離，然后表針在此位置上開始輕微抖動(dòng)(振蕩)，擺動(dòng)幅度在一
- 2018-11-28 關(guān)注：136
- 晶振電路中依據(jù)哪些形式選擇電容C1C2?
- (1)：因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性，所以最好按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。
(2)：在許可范圍內(nèi)，C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會(huì)增加 - 2018-11-28 關(guān)注：182
- 電壓、電流型的運(yùn)放模式是怎樣？
- 電流反饋型運(yùn)放通常用于高頻信號(hào)的處理。原因在于其內(nèi)部的信號(hào)放大和傳輸是采用電流信號(hào)而非電壓信號(hào)(包括反饋負(fù)輸入端都是采用電流輸入)。電流信號(hào)通路由于對(duì)地阻抗較低，
- 2018-11-28 關(guān)注：143
- 電路發(fā)生改變，電壓的表現(xiàn)是什么？
- 在電路中，當(dāng)電路發(fā)生變化時(shí)：
對(duì)于電容：其電容兩端電壓值不能跳變，這句話我一直沒理解是什么意思，今天看了看課本才明白，我沒搞清楚兩端電壓和電容的兩個(gè)極板上的電 - 2018-11-28 關(guān)注：155
- 更換芯片/閃存/主控需要注意哪些方面？
- 我們一般在更換芯片/閃存/主控等時(shí)候,應(yīng)注意以下幾點(diǎn)問題，(僅供參考)
1、電烙鐵不要選功率太大的,而且最好焊接時(shí)拔除插頭,防止靜電擊穿穿FLASH芯片。如果是專業(yè)的數(shù)碼維 - 2018-11-28 關(guān)注：257
- 柵極電阻與源極電阻之間的關(guān)系
- 柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用?
一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S;
第一個(gè)作用好理解，這里解釋一下第二個(gè)作 - 2018-11-28 關(guān)注：177
- 電容的ESR性質(zhì)定義解析
- ESR，是EquivalentSeriesResistance三個(gè)單詞的縮寫，翻譯過來就是“等效串連電阻”。
理論上，一個(gè)完美的電容，自身不會(huì)產(chǎn)生任何能量損失，但是實(shí)際上，因?yàn)橹?/li> - 2018-11-28 關(guān)注：141
- 設(shè)置異步時(shí)鐘的問題解答
- 問題：2個(gè)頻率無關(guān)的時(shí)鐘，在sel的選擇下做切換。
有時(shí)一個(gè)看起來簡單，實(shí)際上是在考驗(yàn)ASIC工程師的問題。
1.簡單的講就是做信號(hào)的2選1么，那么我們就先做一個(gè)簡答的 - 2018-11-28 關(guān)注：206
- 闡述二級(jí)管在電路的作用
- 續(xù)流二極管都是并聯(lián)在線圈的兩端，線圈在通過電流時(shí)，會(huì)在其兩端產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢。當(dāng)電流消失時(shí)，其感應(yīng)電動(dòng)勢會(huì)對(duì)電路中的原件產(chǎn)生反向電壓。當(dāng)反向電壓高于原件的反向擊穿
- 2018-11-28 關(guān)注：154
- 二極管與門電路情況分析
- 如圖：為二極管與門電路，Vcc=10v，假設(shè)3v及以上代表高電平，0.7及以下代表低電平，
下面根據(jù)圖中情況具體分析一下，
1.Ua=Ub=0v時(shí)，D1，D2正偏，兩個(gè)二極管均會(huì)導(dǎo)通 - 2018-11-28 關(guān)注：126
- 放大器的指標(biāo)定義分析
- 共模抑制比CMRR：差模增益/共模增益
輸入共模范圍ICMR：對(duì)差模信號(hào)保持線性放大所需要的共模信號(hào)范圍
輸出失調(diào)電壓：在輸入端相連時(shí)實(shí)際輸出電壓和理想輸出電壓之差， - 2018-11-28 關(guān)注：112
- 增益DB定義分析
- 增益(dB)簡介
1.分貝就是放大器增益的單位---dB，放大器輸出與輸入的比值為放大倍數(shù)，單位“倍”，如10倍放大器，100倍放大器。當(dāng)改用“分貝”做單 - 2018-11-28 關(guān)注：179
- 用運(yùn)算放大器電路精確控制光的強(qiáng)度的案例分析
- 利用光來控制一個(gè)過程的應(yīng)用中，要長期保持工廠設(shè)定的發(fā)光強(qiáng)度需要一個(gè)控制電路來監(jiān)控發(fā)光狀況，并控制供給光發(fā)射器件的電流以保持輸出恒定，采用一個(gè)簡單的運(yùn)算放大器電路
- 2018-11-28 關(guān)注：146
- 運(yùn)放輸入失調(diào)電壓的測試方式
- 運(yùn)放輸入失調(diào)電壓是指輸入信號(hào)為零時(shí)，輸出端出現(xiàn)的電壓折算到同相輸入端的數(shù)值。
運(yùn)放輸入失調(diào)電壓測試只要將運(yùn)放連接成差分放大電路(也稱減法電路)，再將兩個(gè)輸入端短 - 2018-11-28 關(guān)注：245
- 區(qū)別運(yùn)放和比較器及放大器
- 運(yùn)放和比較器的區(qū)別:
比較器和運(yùn)放雖然在電路圖上符號(hào)相同，但這兩種器件確有非常大的區(qū)別，一般不可以互換，區(qū)別如下:
1、比較器的翻轉(zhuǎn)速度快，大約在ns數(shù)量級(jí)，而運(yùn) - 2018-11-27 關(guān)注：197
- 電路換路定則解析
- 在電路中，當(dāng)電路發(fā)生變化時(shí)：
對(duì)于電容：其電容兩端電壓值不能跳變，這句話我一直沒理解是什么意思，今天看了看課本才明白，我沒搞清楚兩端電壓和電容的兩個(gè)極板上的電 - 2018-11-27 關(guān)注：178
- 精密全波整流電路工作設(shè)計(jì)原理
- 全波整流電路也叫做絕對(duì)值電路，輸出電壓為輸入電壓的絕對(duì)值。全波整流電路在直流穩(wěn)壓電源電路中很常見，四個(gè)二極管構(gòu)成的整流橋就是最基本的全波整流。不過采用二極管的整
- 2018-11-27 關(guān)注：132
- 去耦電容的容量選取原則
- 去耦電容的選擇不存在與頻率的精確對(duì)應(yīng)關(guān)系，理論上越大越好，但現(xiàn)實(shí)中所有器件都不是理想器件，不論何種電容，ESL、ESR都是必然存在的，于是實(shí)際電容的頻響曲線明顯呈非線
- 2018-11-27 關(guān)注：106
- 運(yùn)放的相位補(bǔ)償電容知識(shí)分析
- 運(yùn)放的相位補(bǔ)償
為了讓運(yùn)放能夠正常工作,電路中常在輸入與輸出之間加一相位補(bǔ)償電容。
1，關(guān)于補(bǔ)償電容
理論計(jì)算有是有的，但是到了設(shè)計(jì)成熟階段好象大部分人都是 - 2018-11-27 關(guān)注：162
- 電容充電及放電原理分析
- 電容是一種以電場形式儲(chǔ)存能量的無源器件。在有需要的時(shí)候，電容能夠把儲(chǔ)存的能量釋出至電路。電容由兩塊導(dǎo)電的平行板構(gòu)成，在板之間填充上絕緣物質(zhì)或介電物質(zhì)。圖1和圖2分
- 2018-11-27 關(guān)注：185
- 電源濾波電路上的參數(shù)值是如何定義？
- 我們在電源濾波電路上可以看到各種各樣的電容，100uF，10uF，100nF，10nF不同的容值，那么這些參數(shù)是如何確定的?
數(shù)字電路要運(yùn)行穩(wěn)定可靠，電源一定要”干凈&ldquo - 2018-11-27 關(guān)注：118
- 放電電流及放電時(shí)間、超級(jí)電容的容量的計(jì)算方法
- 在超級(jí)電容的，很多用戶都遇到相同的問題，就是怎樣計(jì)算一定容量的超級(jí)電容在以一定電流放電時(shí)的放電時(shí)間，或者根據(jù)放電電流及放電時(shí)間，怎么選擇超級(jí)電容的容量，下面我們
- 2018-11-27 關(guān)注：209
- 貼片電阻、電容、二極管有哪些命名方法？
- 貼片電阻、電容、二極管的命名方法
單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī) - 2018-11-27 關(guān)注：144
- 交流電源輸入端如何抑制EMI 傳導(dǎo)干擾？
- 在交流電源輸入端，一般需要增加三個(gè)電容來抑制EMI傳導(dǎo)干擾。
交流電源的輸入一般可分為三根線：火線(L)/零線(N)/地線(G)。在火線和地線之間及在零線和地線之間并接的電 - 2018-11-27 關(guān)注：145
- 電容器參數(shù)的基本公式換算解析
- 1、容量(法拉)
英制：C=(0.224×K·A)/TD
公制：C=(0.0884×K·A)/TD
2、電容器中存儲(chǔ)的能量
E=½CV2
3、電容器的線性充電量 - 2018-11-27 關(guān)注：197
- 基本的電參數(shù)內(nèi)容詳解
- 這里的電解電容器主要指鋁電解電容器，其基本的電參數(shù)包括下列五點(diǎn)：
1、電容值
電解電容器的容值，取決于在交流電壓下工作時(shí)所呈現(xiàn)的阻抗。因此容值，也就是交流電容 - 2018-11-27 關(guān)注：157
- 淺談嵌入式設(shè)計(jì)電容的應(yīng)用
- 嵌入式設(shè)計(jì)中，要求MCU從耗電量很大的處理密集型工作模式進(jìn)入耗電量很少的空閑/休眠模式。這些轉(zhuǎn)換很容易引起線路損耗的急劇增加，增加的速率很高，達(dá)到20A/ms甚至更快。
- 2018-11-27 關(guān)注：154
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